Задача N4. Измерение критического тока J_c и критического магнитного поля Н_с ВТСП образцов

Сверхпроводящее состояние образца может быть разрушено при протекании по нему транспортного тока большой величины. Значение транспортного тока I_c, проходящего через сверхпроводящий образец считается критическим, когда на образце появляется минимальное регистрируемое напряжение.

Измерения I_c будут проводиться при Т = 77 К. После охлаждения образца и перехода его в сверхпроводящее состояние будут проводиться измерения его вольт-амперной характеристики. Появление небольшого напряжения на контактах соответствует моменту протекания тока величиной I_c. По известному сечению образца будет определяться величина плотности критического тока j_c образца.

Сверхпроводящее состояние образца может быть также разрушено также при помещении его в относительно небольшое магнитное поле. Это поле называется критическим и обозначается H_c.

При измерениях H_c через образец будет пропускаться слабый тестовый ток. Магнитное поле в области расположения образца, будет создаваться соленоидом. Во время измерений ток соленоида будет увеличиваться до тех пор, пока на образце не появится небольшое напряжение, соответствующее моменту перехода образа в нормальное состояние. Данное значение тока соленоида будет фиксироваться и пересчитываться в величину магнитного поля Н_с, создаваемого соленоидом по известным параметрам соленоида.